1. 存储器的分类：
1) 按照存取方式，存储器可以分为随机存取存储器，串行存储器，只读存储器。
2) U盘属于随机存储器
3) RAM和ROM属于随机存储器
4) 磁盘属于部分串行存储器。
5) 存储单元是最小的可以独立寻址的单元。
2. 存储器的层次结构
1) 程序的局部性原理
2) 多级结构或者三级结构
3) 分层是为了解决存储容量，存储速度和价格之间的矛盾。
3. 半导体随机存取存储器：（控制电路OE，CE，WE），刷新方式，比较
1) SRAM和DRAM存储器原理
① 读出原理：SRAM为触发器，DRAM为电容
② 破坏性读出：SRAM非，DRAM是
③ 需要刷新：SRAM否，DRAM是（集中式，分散式，异步式）
④ 送行列地址：SRAM是，DRAM分两次送入
⑤ 运行速度：SRAM快，DRAM慢
⑥ 集成度：SRAM低，DRAM高
⑦ 发热量：SRAM大，DRAM小
⑧ 存储成本：SRAM大，DRAM小，
2) 可编程的ROM（分两种，一种是可编程，另外一种是不能编程的）
① 掩模ROM（MROM）：生产芯片时，一次写入
② 一次可编程ROM（PROM）：熔丝烧断，写入
③ 可擦除ROM（EPROM）：紫外线，浮动栅泄漏电荷（擦除所有信息，不是随机存取存储器）
④ 电可擦除可编程RO（EEPROM）：电擦除（可擦出固定的一位，是随机存取存储器）
⑤ 快擦除读写存储器（Flash Memory）：电擦除
信息不能更改：MROM，PROM
信息可以更改：EPROM（全部擦除，重新写入），EEPROM（对特定位写入），Flash（可以按照字节，区块，页面进行擦除和写入）；
4. 主存储器与cpu 的链接
1) 地址线，控制线，数据线
2) 容量->逆权展开二进制->地址线先条数（A0---An）
5. 双口RAM与多模块存储器
1) 双口RAM，拥有两个独立的读写电路，当同时访问同一内存单元时，发生冲突。
2) 多模块交叉存储器
① 高位交叉存储器（顺序存储器）高位作为体号，地位为内部地址
② 低位交叉存储器：可以实现流水线作业。（地位作为体号，高位为内部地址）
6. 高速缓冲存储器
1) Cache的工作原理
① 程序访问的局部性原理
② Cpu访问主存，有命中和不命中两种情况
2) Cache和主存的映射方式
3) Cache和主存的替换算法
4) Cache写策略
7. 虚拟存储器
1) 虚拟存储器的概念
2) 页式虚拟存储器
3) 段式虚拟存储器
4) 段页式虚拟存储器
5) TLB快表：慢表是通过地址访问的；TLB相联存储器是通过内容访问的。